Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Версия для слабовидящих
Закрыть
Авторизация

Илюшин Владимир Александрович

Нет друзей


Илюшин Владимир Александрович
Сотрудник

Дата последнего входа: 29.05.2020 13:49:48
Подразделения: Кафедра технической электроники (ТЭ)
  • Доцент

Контактная информация

Рабочий телефон: 2693914
E-MAIL:
Общий стаж: 40 лет 7 месяцев
Повышение квалификации: МУЦПС СибГУТИ: «Система дистанционного обучения (СДО) Moodle – основа работы в электронно-информационной образовательной среде». (05.05.2018-12.05.2018)
МУЦПС СибГУТИ: "Современная элементная база электронных систем". (10.04.2018-21.06.2018)


Ученое звание: Доцент
Ученая степень: Кандидат технических наук
Стаж работы по специальности: 19 лет 1 месяц
Информация об образовании: Высшее, физик, Новосибирский государственный университет , физика.
Преподаваемые дисциплины: Преподаваемые дисциплины
Для создания заметок нажмите Изменить
Filimonova N. I. Molecular Beam Epitaxy of BaF2/CaF2 Buffer Layers on the Si(100) Substrate for Monolithic Photoreceivers / N. I. Filimonova, A. A. Velichko, V. A. Ilyushin // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2017- vol. 53 № 3 - p.303-310
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Авторы: Илюшин Владимир Александрович, Величко Александр Андреевич
Год публикации: 2017
Тип публикации: Статья в журнале
Индексация: Scopus
Филимонова Н. И. Исследование особенностей гетероэпитаксии BaF2 на слоях CaF2/Si(100), полученных в высокотемпературном режиме роста = Study of the features of BaF2 heteroepitaxy on the CaF2 / Si (100) layers, obtained in the high-temperature growth mode / Н. И. Филимонова, А. А. Величко, В. А. Илюшин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2017. - №1. - C.79-84
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Авторы: Илюшин Владимир Александрович, Величко Александр Андреевич
Год публикации: 2017
Тип публикации: Статья в журнале
Индексация: Web of Science
    Filimonova N. I. Study of the features of BaF2 heteroepitaxy on CaF2/Si(100) layers obtained in the high-temperature growth mode / N. I. Filimonova, V. A. Ilyushin, A. A. Velichko // Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2017. - Vol.11, iss. 1. - P.130-134
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Авторы: Илюшин Владимир Александрович, Величко Александр Андреевич
Год публикации: 2017
Тип публикации: Статья в журнале
Индексация: Scopus
Все публикации пользователя (82)