Версия для слабовидящих: Вкл Выкл Изображения: Вкл Выкл Размер шрифта: A A A Цветовая схема: A A A A
Версия для слабовидящих
Закрыть
Авторизация

Величко Александр Андреевич

Нет друзей


Величко Александр Андреевич
Сотрудник

Подразделения: Кафедра технической электроники (ТЭ)
  • Профессор

Контактная информация

Рабочий телефон: 269-39-14
E-MAIL:
Общий стаж: 50 лет 1 месяц
Повышение квалификации: МУЦПС СибГУТИ: «Система дистанционного обучения (СДО) Moodle – основа работы в электронно-информационной образовательной среде». (05.05.2018-12.05.2018)
факультет повышения квалификации НГТУ: "Информационно-коммуникационные технологии в проектировании компетентностно-ориентированных образовательных программ" (06.02.2017-10.02.2017)
факультет повышения квалификации НГТУ: "Современная цифровая радиоэлектроника" (14.06.2016-24.06.2016)


Ученое звание: Профессор
Ученая степень: Доктор технических наук
Стаж работы по специальности: 42 года 5 месяцев
Информация об образовании: Высшее, инженер-физик, Новосибирский электротехнический институт, физическая электроника.
Преподаваемые дисциплины: Преподаваемые дисциплины
Для создания заметок нажмите Изменить
Filimonova N. I. Molecular Beam Epitaxy of BaF2/CaF2 Buffer Layers on the Si(100) Substrate for Monolithic Photoreceivers / N. I. Filimonova, A. A. Velichko, V. A. Ilyushin // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2017- vol. 53 № 3 - p.303-310
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Авторы: Илюшин Владимир Александрович, Величко Александр Андреевич
Год публикации: 2017
Тип публикации: Статья в журнале
Индексация: Scopus
Филимонова Н. И. Исследование особенностей гетероэпитаксии BaF2 на слоях CaF2/Si(100), полученных в высокотемпературном режиме роста = Study of the features of BaF2 heteroepitaxy on the CaF2 / Si (100) layers, obtained in the high-temperature growth mode / Н. И. Филимонова, А. А. Величко, В. А. Илюшин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2017. - №1. - C.79-84
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Авторы: Илюшин Владимир Александрович, Величко Александр Андреевич
Год публикации: 2017
Тип публикации: Статья в журнале
Индексация: Web of Science
    Filimonova N. I. Study of the features of BaF2 heteroepitaxy on CaF2/Si(100) layers obtained in the high-temperature growth mode / N. I. Filimonova, V. A. Ilyushin, A. A. Velichko // Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2017. - Vol.11, iss. 1. - P.130-134
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Авторы: Илюшин Владимир Александрович, Величко Александр Андреевич
Год публикации: 2017
Тип публикации: Статья в журнале
Индексация: Scopus
Все публикации пользователя (11)